BBK sugli scudi, col gaming phone iQOO U1 e la ricarica rapida Realme UltraDart

Il noto conglomerato cinese ha tenuto due importanti eventi in Cina, presentando il gaming phone iQOO U1 per lo spin-off low cost di Realme che, poche ore dopo, è salita in cattedra con la ricarica accelerata UltraDart 125W.

BBK sugli scudi, col gaming phone iQOO U1 e la ricarica rapida Realme UltraDart

BBK Electronics si è confermata la grande protagonista di questo giro di boa settimanale, col maxi gruppo cinese che, oltre ad aver presentato un nuovo intrigante smartphone di fascia media, l’iQOO U1, ha messo in campo, come da calendario, l’ennesima tecnologia di ricarica rapida, l’UltraDart Fast Charging 125W per conto del brand Realme (facendo seguito ad analoghi annunci da parte delle controllate Oppo e iQOO). 

Somigliante nell’estetica e per alcune scelte di design all’iQOO Z1 e all’iQOO Z1x 5G, il nuovo medio-gamma iQOO U1 (in vendita dal 23 Luglio) dello spin-off low cost di Vivo si presenta con uno chassis (162.05 x 76.61 x 8.46 mm, per 190 grammi) elegante, nelle sue tre colorazioni alternative disponibili (Secret Black, Star Blue e Sunny Forest White). Il frontale propone un ormai classico foro, situato a sinistra, in cui è posta la selfiecamera (f/2.0) da 8 megapixel: il resto dello spazio, pari al 90.72% della superficie disponibile, è conferito al display LCD IPS da 6.53 pollici, con risoluzione FullHD+ (394 PPI) resa secondo l’aspetto panoramico a 19.5:9. 

Dietro, con la coverback priva dello scanner per le impronte laterali, ottimizzato nel pulsante d’accensione laterale, il costruttore ha collocato una tripla fotocamera in assetto semaforico, in cui due sensori minori da 2 (f/2.4) megapixel, di cui uno per le macro e uno per la profondità, vanno a supportare uno, principale, da 48 (f/1.79, pixel binning) megapixel. 

In sede di acquisto, l’utente potrà contare su 3 differenti allestimenti mnemonici, di RAM (LPDDR4X) e storage (UFS 2.1), rispettivamente da 6+64 (1.198 yuan, 149 euro circa), 6+128 (1.398 yuan, pressappoco 175 euro), e 8+128 GB (1.598 yuan, intorno ai 200 euro). Per la restante sezione deputata alla potenza di calcolo, il processore octacore (2.3 GHz) Snapdragon 720G realizzato a 8 nanometri è stato chiamato ad operare con la GPU Adreno 618, portando in dote ottimizzazioni gamiche quali lo Snapdragon Elite Gaming (riduzione latenza, caricamento veloce dei giochi, modalità consolle per giocare su schermi TV 4K, etc), oltre al supporto verso le connettività Bluetooth 5.1 (AAC, LDAC, SBC, aptX HD) e Wi-Fi ax/6 (con crittografia WPA3), presenti nella scheda tecnica dell’iQOO U1 assieme al Dual SIM 4G VoLTE, all’NFC, al jack da 3.5 mm, al GPS (Glonass), ed alla porta microUSB (OTG e ricarica inversa).

Quest’ultima concorre alla ricarica veloce (18W) della batteria, da 4.500 mAh, accreditata di una buona autonomia, anche grazie all’avallo di Android 10 sotto interfaccia iQOO UI, con tanto di feature videoludiche Multi-Turno e Game Space.

A distanza di poche ore dall’annuncio di iQOO, BBK ha indossato i panni del brand Realme, in un evento nel quale, oltre all’esibizione di due nuovi e sottili caricabatterie SuperDart da 50  (probabilmente simile al “cugino” Oppo SuperVOOC GaN 50W di recente debutto) e 65W, si è alzato il sipario sulla tecnologia di ricarica ultrarapida UltraDart Fast Charging da 125W, indicata per caricare smartphone e computer portatili.

La nuova arrivata, compatibile con vari standard di ricarica (PPS da 125W, PD da 65W, QC da 36W) e retrocompatibile con le passate ricariche rapide di BBK (Warp by OnePlus, VOOC/SuperVOOC/SuperVOOC 2.0 di OPPO, SuperDart di Realme), è in grado di caricare uno smartphone 5G da 4.000 mAh del 33% in 3 minuti, ultimando il restante 67% in 17 minuti, per un totale di 20 minuti. Tale risultato sarebbe stato raggiunto, senza mai superare i 40° di temperatura (come confermato dai 14 sensori messi a sorveglianza del calore generato), con una gestione dinamica delle velocità di ricarica, e grazie a una serie di accorgimenti comprensivi di una strutturazione multischeda beneficiata di doppi connettori (da scheda a scheda e da scheda a cella), di una dissipazione termica a camera di vapore, e dell’uso di un sottile film di grafite

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