Il Samsung Note 6 avrà anche scansione dell’iride e 6 GB di RAM green?

A pochi mesi dall'uscita dei top di gamma telefonici della famiglia Galaxy S, la coreana Samsung concentra le sue attenzioni, con piccoli annunci mirati, sul futuro Note 6. Ecco alcune recenti indiscrezioni a tal riguardo.

Il Samsung Note 6 avrà anche scansione dell’iride e 6 GB di RAM green?

Ormai, al WMC 2016 di Febbraio, Samsung ha già presentato il nuovo top di gamma telefonico Galaxy S7 e, sino all’avvento del suo successore, tutta l’attenzione verso questo marchio si sta reindirizzando verso lo sbarco in commercio del nuovo Note 6, stimata per quest’estate, ad Agosto. Ecco alcuni nuovi rumors in merito alle sue possibili specifiche.

Da quanto detto sin ora, sembra che il nuovo Galaxy Note 6 concentrerà molta attenzione sul display. Quest’ultimo dovrebbe avere una diagonale di 5.8 pollici, per distinguerlo meglio dall’S7 Edge (5.5 pollici) e adotterebbe un più sottile pannello Slim RGB AMOLED: con lo spazio risparmiato nel corpo del device, si potrebbe alloggiare una batteria più cospicua o qualche altre nuova funzionalità. Sempre rimanendo in tema di display, sembra che quest’ultimo potrebbe anche incorporare un sistema biometrico per la scansione dell’iride: la conferma a quest’indiscrezione viene dal fatto che Samsung ha registrato alcuni marchi, in Europa, dai nomi alquanto emblematici di “Samsung Iris” e “Samsung Eyeprint”.

Non meno importante è l’eventualità che la casa di Seoul possa presentare anche una versione Edge del nuovo Note 6. In tal senso va senz’altro citato quanto emerso solo di recente su un brevetto depositato da Samsung l’estate scorsa. Sembra, infatti, che – nell’Agosto 2015 – Samsung abbia depositato un brevetto che afferiva alla possibilità di collocare un digitalizzatore nel bordo esterno di un display curvo, in modo da poter usare una S-Pen anche sul bordo curvo: magari per richiamare funzioni ed applicazioni con una puntatina di tale penna smart.

Per il resto, sembra che il Note 6 possa adottare un potente processore Qualcomm Snapdragon 823 ed una memoria RAM davvero interessante. Nei giorni scorsi, infatti, Samguns ha presentato – nella Silicon Vallery Cinese (lo Shenzen) al Samsung Mobile Solutions Forum – un chip di memoria da 6 GB di tipo LPDDR4, costruito secondo il processo a 10 nanometri: una memoria del genere, assicurano i tecnici sudcoreani, sarebbe più veloce di quelle attuali e, di certo, anche più risparmiosa in termini energetici.

Considerando anche la capienza del taglio, sarebbe lecito aspettarsi che tale chip possa implementare, oltre al nuovo Galaxy S8, anche e proprio il nuovo Galaxy Note 6 atteso per Agosto.

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